砷化鎵器件應用于消費電子射頻功放，是 3G/4G 通訊應用的主力，物聯網 將是其未來應用的藍海；氮化鎵器件則以高性能特點目前廣泛應用于基站、 雷達、電子戰等軍工領域，利潤率高且戰略位置顯著，由于更加適用于 5G， 氮化鎵有望在 5G 市場迎來爆發。
射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率，如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的核心。通常在射頻功率放大器中，可以用LC諧振回路選出基頻或某次諧波，實現不失真放大。
蘇州恒邁瑞材料科技是微波射頻芯片（MMIC）和模擬芯片研發生產商，產品采用GaAs PHEMT/HBT、GaN HEMT、CMOS、SiGe BiCMOS工藝制作的微波射頻芯片和高速模擬芯片，頻率覆蓋范圍達DC-100GHz，具有頻帶寬、功耗低、集成度高、成本低、供貨周期短等獨特優勢，已形成超寬帶、低功耗系列等多種特色產品，同時可提供環行器隔離器和微波毫米波組件，這些產品在無線通信、汽車電子、物聯網等市場領域得到了廣泛應用。