氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，屬于極穩定的化合物，自1990年起常用在發光二極管中。它的堅硬性好，還是高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。
蘇州恒邁瑞公司目前氮化鎵襯底片有2英寸和方形氮化鎵自支撐襯底，位錯密度在105cm-3量級，根據不同的技術參數分為三種，即n型摻雜、半絕緣與非摻雜。n型氮化鎵，主要運用于LED、激光器方面；半絕緣則運用于高功率微波器件或大電流高電壓的開關上。非摻雜即高純度氮化鎵，在探測器上的應用較為廣泛，要求材料的電子濃度越低越好。恒邁瑞非摻雜氮化鎵產品，X射線(002)半峰寬為50秒、(102)半峰寬為80秒左右，塊體材料的電子遷移率超過1500cmV-1s-1。