恒邁瑞公司目前自支撐氮化鎵襯底片有2英寸氮化鎵襯底片和方形10*10.5mm2氮化鎵襯底片材料，導電類型分為n型非摻雜、n型si摻雜，及Fe摻雜半絕緣氮化鎵晶片。產品等級有測試級，研究級和產品級氮化鎵襯底。另外襯底結構為GaN on Sapphire的氮化鎵復合襯底有2英寸和4英寸，厚度均為350um±25um。
氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，屬于極穩定的化合物，自1990年起常用在發光二極管中。它的堅硬性好，還是高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。