碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已發現的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優良半導體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料，與硅材料的物理性能對比，主要特性包括:（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近10倍；（2）熱導率高，超過硅材料的3倍；（3）飽和電子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗輻照和化學穩定性好；（5）與硅材料一樣，可以直接采用熱氧化工藝在表面生長二氧化硅絕緣層。
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司長期供應2英寸到6英寸的碳化硅襯底片，分別有4H-N 和4H-Si型。其中4H-N 導電型碳化硅襯底片摻雜氮，4H-SI高純半絕緣型碳化硅襯底片摻雜釩，主要生產的厚度是350um。
在《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》中將碳化硅列為“新一代信息功能材料及器件”，在《中國制造2025》中明確大尺寸碳化硅單晶襯底為“關鍵戰略材料”“先進半導體材料”。可以毫不夸張地說，碳化硅材料已成為全球半導體產業的前沿和制高點。