蘇州恒邁瑞材料科技生產的氮化鎵復合襯底片方面:產品有10-50微米的不同規格，常用的是20-30微米。位錯密度在107cm-3量級，根據不同的技術參數可分為兩種即n型摻雜與半絕緣。n型摻雜主要運用于LED等光電器件，半絕緣主要運用于電力電子、微波器件上。
氮化鎵是一種人造材料，自然形成氮化鎵的條件極為苛刻，需要2,000多度的高溫和近萬個大氣壓的條件才能用金屬鎵和氮氣合成為氮化鎵，所以在自然界幾乎不可能實現。1998年，美國科學家研制出了首個氮化鎵晶體管。然而，氮化鎵材料禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，使得它成為迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。