蘇州恒邁瑞材料科技供應(yīng)的碳化硅外延片以350um厚度4H-N型為襯底層，襯底層晶向?yàn)?±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片產(chǎn)品尺寸有4英寸和6英寸導(dǎo)電類型分為N型及P型，N型碳化硅外延片摻雜氮，P型碳化硅外延片摻雜鋁。
恒邁瑞碳化硅外延片載流子濃度及厚度可按要求定制生產(chǎn)。
由于碳化硅器件必須制作在外延材料上，所以基本上所有碳化硅單晶材料都將作為襯底材料用來生長(zhǎng)外延材料。國際上碳化硅外延材料技術(shù)發(fā)展迅速，外延厚度達(dá)到250 μm以上。其中，20 μm及以下的外延技術(shù)成熟度較高，表面缺陷密度已經(jīng)降低到1個(gè)/cm2以下，位錯(cuò)密度已從過去的105個(gè)/cm2，降低到目前的103個(gè)/cm2以下，基平面位錯(cuò)的轉(zhuǎn)化率接近100 %，已經(jīng)基本達(dá)到碳化硅器件規(guī)模化生產(chǎn)對(duì)外延材料的要求。